1、什么是外延和外延片？
外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点？
用得蕞广泛的衬底材料是申化家，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，加工方便，价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料，对PN结发的光吸收比较多，影响发光效率。
磷化家可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。
生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，有利于提高发光效率，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，易于加工，导热率较高，利于制作功率器件。
LED的发光有源层??PN结是如何制成的？哪些是常用来制造LED的半导体材料？
LED的实质性结构是半导体PN结。PN结就是指在一单晶中，具有相邻的P区和N区的结构，它通常在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生另一种导电类型的薄层来制得的。
常用来制造LED半导体材料主要有申化家、磷化家、家铝申、磷申化家、铟家氮、铟家铝磷等Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体材料，其它还有Ⅳ族化合物半导体碳化硅，Ⅱ?Ⅵ族化合物硒化锌等。
一、定义
1、LED晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光。
2、LED芯片是一种固态的半导体器件，就是一个P-N结，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
二、组成
1、LED晶片的组成：要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。
2、LED芯片的组成：由金垫、P极、N极、PN结、背金层构成（双pad芯片无背金层）组成。
三、分类
1、LED晶片
1）按发光亮度分：
A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等；
B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等；
C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等；
D.不可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR；
E.红外线接收管:PT；
F.光电管:PD；
2）按组成元素分：
A.二元晶片(磷﹑家):H﹑G等；
B.三元晶片（磷﹑家﹑申）:SR﹑HR﹑UR等；
C.四元晶片(磷﹑铝﹑家﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG
2、LED芯片
1）根据用途分：大功率LED芯片、小功率LED芯片两种；
2）根据颜色分：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）；
3）根据形状分：一般分为方片、圆片两种；
4 ) 根据大小分：小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等。
在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
以上信息由专业从事uv led模组的杰生半导体于2024/4/21 13:35:48发布
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